中科院半导体研究所等团队研制出新型铁电隧穿结，利用埃米级滑移让开关电阻相差约1900万倍，可反复开关超1000亿次。为省电耐用存储芯片提供新路径。

中科院半导体所团队通过二维范德华异质结界面工程，实现埃米级原子层滑移。该技术可撬动千万倍电阻变化，面向低功耗存算一体。涉及科研机构与半导体产业。