• 中科院
780.81万2026-09-15 12:01:00

中科院半导体研究所等团队研制出新型铁电隧穿结,利用埃米级滑移让开关电阻相差约1900万倍,可反复开关超1000亿次。为省电耐用存储芯片提供新路径。

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