中国团队在芯片领域获突破。具体技术未详述。相关方为科研团队与半导体行业。

中科院半导体研究所等团队研制出新型铁电隧穿结。开关电阻相差约1900万倍，可反复开关超1000亿次，为省电耐用存储芯片提供新路径。涉及科研团队、芯片产业与存储企业。

中科院半导体研究所等团队研制出新型铁电隧穿结，利用埃米级滑移让开关电阻相差约1900万倍，可反复开关超1000亿次。为省电耐用存储芯片提供新路径。

消息称华为芯片时隔6年更新，并总结背后3个突破。内容为技术进展解读。相关方为华为及半导体产业链。

地平线宣布征程智驾芯片量产突破1500万颗。该芯片面向智能驾驶计算场景，量产规模持续扩大。涉及地平线及智能驾驶产业链。