中科院半导体研究所等团队研制出新型铁电隧穿结。开关电阻相差约1900万倍，可反复开关超1000亿次，为省电耐用存储芯片提供新路径。涉及科研团队、芯片产业与存储企业。

中科院半导体研究所等团队研制出新型铁电隧穿结，利用埃米级滑移让开关电阻相差约1900万倍，可反复开关超1000亿次。为省电耐用存储芯片提供新路径。