SK海力士子公司考虑赴美建厂。布局NAND闪存产能多元化。涉及SK海力士、美国与半导体供应链。

路透社报道，长鑫存储计划在北京新工厂建立NAND闪存研发生产线，并已与客户讨论NAND闪存计划，用于AI系统和超级计算机存储。

美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块并使其更靠近GPU，以处理不需要传统HBM或DRAM高带宽高延迟的工作负载。涉及美光、AI大模型及存储行业。

铠侠拟投资超1万亿日元在岩手县新建NAND闪存工厂。预计8月27日宣布建设计划。公司股价随消息上涨近6%。