SK海力士扩产HBM并看好内存

利多 3周前

SK海力士CEO郭鲁正预计内存短缺持续至2030年底，未看到下行信号。公司启动美国印第安纳州40亿美元存储中心建设，2029年量产HBM4E，预计该州成美HBM基地。

SK海力士CEO表示，未看到任何显著的内存市场下行信号

SK海力士CEO表示，未看到任何显著的内存市场下行信号，预计内存短缺局面将持续至 2030 年末。

SK海力士CEO郭鲁正表示，未看到任何显著的内存市场下行信号，预计内存短缺状况将持续至2030年底。

SK海力士CEO：与超过100家材料、设备和零部件合作伙伴进行讨论，以建立本地供应链。将继续扩大在美国的投资与合作。

SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设；将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。

SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设。