摩根大通称三星电子第三季存储器业务保持强劲，短期受汇兑逆风影响，维持增持评级及目标价40万韩元。上调HBM市占预测。涉及三星电子及投资者。

三星4nm制程满负荷运转，过半产能已分配给HBM4；相关产能利用率引发行业关注。

三星电子计划将超过一半4nm产能投入HBM4基础裸片生产，知情人士称该比例占总量50%至60%，并在下半年保持。涉及三星电子及HBM存储产业链。

美光据称计划到年底将HBM月产能翻倍，HBM4占比提至五成。涉及美光及存储芯片产业链。

美光计划年底前新增最多6万片每月HBM产能，HBM产能将超去年两倍。此举意在追赶三星电子和SK海力士的产能差距。美光、三星电子、SK海力士及存储产业链是主要相关方。

三星将约70%存储产能用于长期协议，期限至2031年。三星公布HBM5性能目标为HBM4E两倍。高盛认为存储价格仍在上行。

HBM现货价格飙升至长协五倍，HBM4良率承压。长协锁产挤压现货供给，价格飙升。存储产业链供需失衡加剧。

英伟达推出新一代高带宽内存技术NVIDIA NVHBM，扩展NVLink Fusion方案，可为XPU提供更高内存性能和效率，面向AI智能体和万亿参数工作负载。涉及英伟达及AI基础设施厂商。

SK海力士被曝考虑英特尔代工，台积电面临竞争。HBM供应链格局或生变。涉及半导体巨头及AI芯片市场。

报道称SK海力士计划将下一代HBM基础芯片外包给英特尔生产；英特尔美股盘前上涨1.7%；相关方：SK海力士、英特尔。

SK海力士在美印第安纳州举行HBM封装基地奠基。预计2028年完成无尘室。

SK海力士CEO郭鲁正预计内存短缺持续至2030年底，未看到下行信号。公司启动美国印第安纳州40亿美元存储中心建设，2029年量产HBM4E，预计该州成美HBM基地。

英伟达股价下跌1.05%，市值5.10万亿美元，即将发布季报。摩根士丹利预计Rubin季度收入近90亿美元。三星和SK海力士计划增加对英伟达HBM4供应。

本月1至20日韩国DRAM出口单价同比上涨401%，较2023年低点上涨约12.5倍。高盛认为供应缺口存在扩大趋势，HBM挤压普通内存供应。