长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台实现量产，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，并展出LPDDR5X新品。国产存储突破。

长鑫科技第五代DRAM工艺平台正式量产，同步展出大容量LPDDR5X，晶圆产出提升50%以上，进入国产旗舰手机。利好存储链，关注规模销售。

长鑫科技第五代DRAM工艺平台G5量产，位密度提升50%，有望导入国产旗舰手机供应链，并拉动国产设备占比超40%。利好存储芯片与半导体设备。关注产业链订单。

长鑫科技第五代DRAM技术平台量产，晶圆产出提升至少50%，展出LPDDR5X。国产存储高端化突破，关注量产爬坡与客户导入。

长鑫科技第五代DRAM技术平台量产，华为昇腾960超节点订单落地；DRAM供应紧张，谷歌拆旧服务器救急。利好存储与算力产业链。

长鑫存储宣布第五代DRAM平台量产，展出LPDDR5X新品，有源区半间距11.95纳米。利好存储芯片国产化，关注客户导入。