长鑫存储第五代DRAM平台量产
利多 1天前长鑫存储在2026世界制造业大会宣布第五代DRAM技术平台量产。基于该平台的24GB LPDDR5X产品进入规模量产，晶圆产出提升50%以上。涉及长鑫存储及手机厂商。[国产存储芯片]
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台实现量产。此次大会展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24GB，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。
长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。（澎湃新闻）
长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GBLPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。