长鑫存储在2026世界制造业大会宣布第五代DRAM技术平台量产。基于该平台的24GB LPDDR5X产品进入规模量产，晶圆产出提升50%以上。涉及长鑫存储及手机厂商。

路透社报道，长鑫存储计划在北京新工厂建立NAND闪存研发生产线，并已与客户讨论NAND闪存计划，用于AI系统和超级计算机存储。

QUICK FactSet数据显示，2026年第二季度长鑫存储息税前利润率82%，超过SK海力士76%和三星电子半导体业务70%，成为全球盈利水平最高的存储芯片厂商。同期营收较上年增长约10倍。

长鑫存储自主研发的LPDDR6芯片已量产商用，首发搭载于小米18 Fold。单颗粒容量16Gb，最高速率12800Mbps。与LPDDR5X相比带宽提升60%。

努比亚NaviX Ultra手机将搭载长鑫存储10667Mbps LPDDR5X内存，这是国产该速率芯片首次量产应用。相关方为长鑫存储、中兴通讯及努比亚。

长鑫存储开启全球校招，工作地点包括合肥、北京、上海等，岗位覆盖电路设计等。

长鑫存储起诉美国国防部，要求将其从黑名单移除。长鑫科技上半年净利776亿元扭亏，并宣布LPDDR6内存量产。公司称全球内存芯片供给紧缺延续。

周末要闻：个人住房贷款期限延至40年，长鑫LPDDR6内存芯片正式量产。

长鑫官宣LPDDR6内存量产，全球首发。雷军点赞该技术进展。LPDDR6为新一代内存产品。

长鑫存储回应称已起诉美国国防部，否认军事企业属性，称仅生产民用DRAM。涉及长鑫存储与美国国防部。

长鑫官宣LPDDR6内存量产，标志存储芯片技术进展。涉及长鑫存储及下游电子厂商。

长鑫存储宣布LPDDR6内存量产，雷军发文祝贺；同时长鑫存储起诉五角大楼。打破内存垄断，引发争议。涉及长鑫存储、雷军及五角大楼。

长鑫存储宣布LPDDR6内存正式量产，首发搭载于小米18Fold折叠屏手机。小米董事长雷军表示祝贺，称玄戒O3首家支持，从芯到存实现国产突破。涉及长鑫存储、小米及国产半导体产业链。

长鑫存储向美国法院起诉国防部，指控涉军企业名单武断。要求移除名单，被告含美防长等三人。诉讼涉法律程序与商业权益。

长鑫存储向美国哥伦比亚特区地方法院起诉美国国防部，要求将其从中国军事企业清单移除。公司称产品仅用于民用商业，未用于军事。涉及长鑫存储、美国国防部及半导体出口管制。