集成电路攻关与半导体走强
利多 16小时前中办国办将集成电路列为关键核心技术攻关之首,长鑫科技第六代DRAM工艺完成验证,多家半导体设备公司三季报扎实,叠加AI算力需求上修,半导体设备、芯片设计、CPO等板块集体大涨。关注政策落地与订单兑现。
AI算力需求锚上修叠加工艺涨价,科创200ETF华泰柏瑞涨超3.88%
【AI算力需求锚上修叠加工艺涨价,科创200ETF华泰柏瑞涨超3.88%】今日市场整体上行,四十余个板块飘红,科技方向弹性居前,传媒、计算机、半导体板块涨幅均超4%。截止午盘收盘,科创200ETF华泰柏瑞(588230)强势上涨3.88%,跟踪的科创200指数同步走强。
报告:我国人工智能推理数据量首超训练数据量
2026新域新质创新大赛期间,中国电子信息产业发展研究院发布《新域新质创新发展十大趋势》。报告显示,我国人工智能推理数据量首次超过训练数据量,标志着人工智能从模型训练研发阶段迈入规模化产业应用阶段。具体来看,截至2026年6月,日均词元调用量超过175万亿,相比2024年年初增长1000多倍。顶尖大模型迭代周期从几个月压缩到几周甚至几天。
2030年DRAM产能接近翻倍,科创半导体设备ETF华泰柏瑞涨超5.6%
【2030年DRAM产能接近翻倍,科创半导体设备ETF华泰柏瑞涨超5.6%】今日市场科技方向的参与情绪明显升温。截至今日13:55,科创半导体设备ETF华泰柏瑞(588710)强势上涨5.6%,跟踪的科创半导体材料设备指数同步走强。指数行业权重高度集中,电子行业占比97.93%。
长鑫科技第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证,半导体ETF鹏华涨超3%
【长鑫科技第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证,半导体ETF鹏华涨超3%】消息面上,10月30日,长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露,在4F2垂直沟道DRAM(动态随机存取存储器)架构取得关键突破的基础之上,第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F2架构进展,此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F2架构。
半导体方向强势上攻 科创芯片设计ETF易方达+3.15%
【半导体方向强势上攻 科创芯片设计ETF易方达+3.15%】截至2026年11月2日13时51分,科创芯片设计ETF易方达(589030)涨3.15%,报0.851元,较昨日收盘价0.825元上涨0.026元,今日以0.843元开盘,盘中最高0.854元、最低0.819元,成交额约9238.6万元。
海内外产业催化密集,CPO、电子、AI应用多线走强,科创200ETF鹏华涨超4%
【海内外产业催化密集,CPO、电子、AI应用多线走强,科创200ETF鹏华涨超4%】消息面上:1、CPO:英伟达近日公开展示了下一代共封装光学(CPO)技术,名为OOI。OOI选择拿下有机封装基板,将光引擎直接集成到承载GPU的硅中介层之上,把光电转换环节进一步向芯片内核靠拢,为下一代超大规模AI集群提供全新互联思路。目前英伟达已拿到原型样品。
中办国办印发意见将集成电路列为关键核心技术攻关之首,科创芯片设计ETF天弘标的指数大涨超3%,成交额超2亿元为同标的第一
【中办国办印发意见将集成电路列为关键核心技术攻关之首,科创芯片设计ETF天弘标的指数大涨超3%,成交额超2亿元为同标的第一】盘面上,两市高开高走,芯片设计概念上涨。相关ETF方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨3.06%,成交额达2.47亿元,为同标的第一;换手率达14.36%。成分股中,格科微、翱捷科技-U、概伦电子、普冉股份、泰凌微涨超5%,英集芯、乐鑫科技、东芯股份等多股跟涨。
多家半导体企业披露最新研发突破,科创半导体设备ETF鹏华涨超6%
【多家半导体企业披露最新研发突破,科创半导体设备ETF鹏华涨超6%】随着A股三季报披露收官,多家公司表示AI产业快速发展、算力需求旺盛是业绩增长主要动力,已披露三季报显示多家AI算力产业链公司净利润同比大幅增长。
中韩半导体ETF华泰柏瑞成交额突破200亿
截至发稿时间,中韩半导体ETF华泰柏瑞(513310)成交额突破200亿元位列今日股票型ETF成交榜首。该ETF最新涨幅为3.62%,前两大重仓股为SK海力士、三星电子,今日韩国综指收涨2.24%。
半导体设备厂商三季报业绩扎实,韩国10月半导体出口再超500亿美元,半导体设备ETF万家标的指数午后涨幅扩大至6.11%
【半导体设备厂商三季报业绩扎实,韩国10月半导体出口再超500亿美元,半导体设备ETF万家标的指数午后涨幅扩大至6.11%】11月2日,A股三大指数反弹,半导体板块午后涨幅扩大,设备、材料方向领涨。截至14:05,半导体设备ETF万家(159327)跟踪的半导体材料设备指数(931743)涨6.11%。
