红外成像芯片获突破
利多 2天前华中科技大学团队在《自然》发表成果，用室温水溶液工艺制成640×512像素短波红外成像芯片，比探测率达同类最高水平；利好红外成像芯片技术，关注产业化转化。
中国团队在红外成像芯片制备方面获重要进展
近日，华中科技大学光学与电子信息学院、武汉光电国家研究中心唐江教授团队在《自然》杂志在线发表一项研究成果，用室温水溶液工艺让硫化铅感光层直接生长在读出电路上，制成640×512像素的短波红外成像芯片。测试显示，该团队研制的光电二极管在室温下对2.5微米红外光的比探测率（衡量捕捉微弱光信号能力的指标）达到同类器件最高水平