磷化铟-光芯片需求

利多 3天前

AI算力集群和800G/1.6T光模块部署推升磷化铟衬底战略地位，其是高速激光器、探测器不可替代材料。关注光芯片材料国产化。

磷化铟光芯片衬底材料产业链分析：AI时代的“光学基石”

磷化铟（InP，Indium Phosphide）作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，凭借其直接带隙、高电子迁移率以及在1.3—1.55μm光纤通信窗口优异的光电转换效率，成为制备DFB/EML激光器、高速探测器等光芯片不可替代的基底材料。在AI算力集群扩容和800G/1.6T光模块加速部署的推动下，磷化铟的战略地位已