台积电布局3D DRAM

台积电台股涨幅扩大，现涨4%。

【继续领涨！台积电拟规划生产3D DRAM先进存储芯片，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数强势涨超2%】截至2026年11月9日09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.13%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手0.93%，成交764.93万元。成分股力芯微上涨5.80%，复旦微电上涨4.72%，峰岹科技上涨4.43%，寒武纪，芯原股份等个股跟涨。

台积电涨幅扩大至6%。

【台积电拟布局3D DRAM生产，港股通信息技术ETF鹏华涨超2%】芯片、机器人盘中活跃，消息面上，台积电(TSM.US)正考虑将业务范围拓展至先进存储芯片制造领域，并已应最大客户英伟达(NVDA.US)的要求，开始制定生产3DDRAM(三维动态随机存取存储器)的相关计划。此外，苹果团队在arXiv上发布机器人自主控制系统HALO，在宇树G1上的真实测试覆盖6个训练中未见、未经扫描的环境。针对6类单项技能开展360次测试，平均成功率达到91%。