长鑫G5 DRAM量产

9月20日，长鑫科技宣布第五代DRAM工艺平台G5进入量产阶段。此举标志着国产通用DRAM在理论工艺密度上已实质性追平国际一线水平，并显著增强长鑫科技在主流市场的成本竞争力与定价话语权。G5平台通过四重曝光技术在DUV体系下实现极限挖潜，使存储位密度较上一代提升50%，每片晶圆裸片产出大幅增加。在当前存储景气上行、供给偏紧的窗口期，这一跃升为长鑫科技导入国产旗舰手机供应链提供了坚实底气。在DDR5、LPDDR5X等通用领域，长鑫科技已具备参与全球成本竞争的实力。此外，随着基于G5平台的扩产推进，国产半导体设备占比有望超过40%，将直接拉动刻蚀、薄膜沉积等环节的设备采购需求，为上游核心供应商带来

【长鑫G5量产 通用DRAM工艺逼近国际一线】9月20日，长鑫科技宣布第五代DRAM工艺平台G5进入量产阶段。此举标志着国产通用DRAM在理论工艺密度上已实质性追平国际一线水平，并显著增强长鑫科技在主流市场的成本竞争力与定价话语权。G5平台通过四重曝光技术在DUV体系下实现极限挖潜，使存储位密度较上一代提升50%，每片晶圆裸片产出大幅增加。在当前存储景气上行、供给偏紧的窗口期，这一跃升为长鑫科技导入国产旗舰手机供应链提供了坚实底气。在DDR5、LPDDR5X等通用领域，长鑫科技已具备参与全球成本竞争的实力。此外，随着基于G5平台的扩产推进，国产半导体设备占比有望超过40%，将直接拉动刻蚀、薄膜

【长鑫官宣第五代DRAM技术平台实现量产！科创芯片设计ETF永赢盘中涨超2%】9月21日，科创芯片设计ETF永赢（589420）盘中涨超2%，延续上周涨势。A股存储器概念走强。

【长鑫科技大涨超5%】21日，长鑫科技盘初涨超5%，提振存储板块，兆易创新、澜起科技、大普微、佰维存储跟涨。消息面上，9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。

【冲击七连红！长鑫第五代DRAM平台正式量产，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨超1%】截至2026年9月21日09:35，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.19%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手0.87%，成交849.20万元。成分股聚辰股份上涨5.03%，杰华特上涨4.81%，澜起科技上涨3.71%，佰维存储，成都华微等个股跟涨。