长鑫科技第五代技术平台量产
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，存储密度大幅提升，同等条件下每张晶圆产出较上一代提升50%以上。基于该平台打造的24GBLPDDR5X产品已进入正式量产，并全面进入国产主
存储芯片会涨到你无法想象，瑞银最新上调ai资本开支内存翻倍增长
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