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长鑫存储第五代DRAM量产
利多
1天前
技术突破
半导体
安徽
长鑫存储宣布第五代DRAM平台量产,展出LPDDR5X新品,有源区半间距11.95纳米。利好存储芯片国产化,关注客户导入。
DRAM
存储芯片
长鑫存储第五代平台正式量产
【长鑫存储第五代平台正式量产】9月20日,长鑫存储在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台实现量产,同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米,接近全球最顶尖的内存量产平台制程。