长鑫存储也做NAND，与长江存储正面竞争，国产存储双雄同台。国产替代加速，关注技术进展、产能扩张及存储价格影响。

韩国8月HBM出口单价环比下跌3.6%，五连涨终结，主要厂商加速扩产。价格信号与扩产并存，短期影响中性，关注AI服务器需求与供给释放节奏。

业界消息称三星计划大幅提升HBM制程玻璃载体清洗量，HBM4明年产量至少翻倍可能性较高。AI存储需求强劲，利好HBM、半导体设备及材料板块。

长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台实现量产，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，并展出LPDDR5X新品。国产存储突破。

摩根大通维持三星电子增持，存储器业务强劲；分析师预测美光2027财年利润有望超微软，存储价格周期支撑盈利。

长鑫科技第五代DRAM工艺平台正式量产，同步展出大容量LPDDR5X，晶圆产出提升50%以上，进入国产旗舰手机。利好存储链，关注规模销售。

长鑫科技第五代DRAM技术平台量产，晶圆产出提升至少50%，展出LPDDR5X。国产存储高端化突破，关注量产爬坡与客户导入。

长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台正式量产，同步展出LPDDR5X产品，每片晶圆产出较上一代提升超50%。技术突破强化国产存储竞争力，但公司称尚未规模销售，短期业绩影响有限。关注后续客户导入与规模出货进度。

HBM现货价格大涨，内存价格飙涨五到七倍，美光高管称新增供应2028年才爬坡。供给紧缺预期强化，利好存储芯片及封测产业链，关注相关公司订单与价格传导。

三星电子调整定制HBM基础芯片供应链，将不再仅依赖内部代工，同时采用台积电工艺的双轨制程战略。利好先进封装、代工。

三星电子为HBM基础芯片不再依赖内部代工，将采取双轨制程，同时采用台积电工艺；从HBM4量产开始采用代工工艺制造基片。供应链变化。关注订单分配。

三星电子考虑“双轨制程”HBM战略，同时利用内部代工厂和台积电工艺生产基础芯片。定制化HBM需求增长，利好HBM产业链及台积电。关注三星客户导入。

TrendForce预计2026年下半年NOR Flash供需失衡，高容量价格或翻倍；十铨称DRAM缺口显著，2027上半年缺货最严峻。存储涨价利好原厂及模组企业。关注合约价及原厂扩产进度。

存储封测扩产引发关注，但报道提示并非全是利好；沪深多家公司披露经营及异动公告，优刻得终止定增。扩产可能加剧竞争，需甄别个股。关注供需及价格。

江波龙在港交所主板挂牌首日破发，盘中最低232.4港元，成为国内首家A+H存储模组企业。H股询价与定价偏高压制交易情绪，关注存储周期景气及H股募投项目进展。

江波龙正式登陆港交所，发行价236港元/股，募资净额约68.03亿港元，成为A+H两地上市的独立存储器厂商。资本补充助力研发和周期应对，关注H股定价及存储器景气度。

三星将超过一半的4nm产能投入HBM4基础裸片，下半年供应量大增；Q2三星与SK海力士DRAM合计市占64.3%。AI拉动高端存储需求，国内HBM和存储产业链有望受益，关注良率与扩产进度。

存储模组龙头江波龙预计9月8日在港交所挂牌，发行价236港元。H股融资有助于增强全球化布局与资金实力，但股本扩张可能摊薄短期每股收益。关注上市首日表现及对A股估值映射。

分析师预计SK海力士Q3营业利润或低于预期，但HBM4出货强劲，2027年价格预计同比上涨70%。存储周期向上趋势延续，利好HBM产业链。

韩国KOSPI大涨4%，SK海力士、三星电子大涨；分析师预计HBM4出货强劲，2027年价格或涨70%，日本芯片股同步走强。全球存储与HBM高景气有望外溢至A股存储、半导体设备及封测产业链。