长鑫科技G5 DRAM平台量产，每片晶圆裸片数量提升至少50%；AI驱动存储景气上行，先进存力规模超640EB，关注国产高端存储放量与价格趋势。
君正股份称3D-DRAM为存储单元器件层面垂直堆叠的DRAM。技术路线明确，关注产品量产及客户导入。
君正股份称三季度DRAM涨价且需求坚挺，四季度延续，大容量512Mb Flash供应趋紧；A股半导体半年报在AI与周期共振下增长强劲。利好存储与半导体产业链，关注四季度涨价持续性。
北京君正透露三季度DRAM涨价且需求坚挺，四季度预计持续，Flash部分涨价，AI服务器拉动大容量Flash紧缺，全年存储销量或增20%。利好存储产业链，关注涨价持续性。
君正股份披露三季度DRAM涨价且供应紧张，四季度预计延续，大容量512Mb Flash趋紧；AI服务器驱动存储景气上行，关注明年新产能落地。
君正股份2026上半年净利同比增长489.59%，受益存储周期上行，但市值仍缩水542亿元。业绩与股价背离，关注存储涨价持续性与需求可持续性。
存储芯片板块走强，国内厂商保障本土需求，企业级SSD大额订单落地，AI与数据中心驱动需求增长。关注涨价周期与产能分配。
长鑫存储起诉美国防部错误列名，SK海力士CEO称存储短缺延续至2030年底。行业高景气叠加国产维权推进，利好存储产业链。关注诉讼进展及存储价格走势。
韩国8月1-20日DRAM出口单价同比暴涨401%，AI驱动HBM挤压普通供应，机构预计供需缺口扩大。A股存储产业链直接受益。关注模组价格与国产存储厂扩产。
君正股份H股在港交所挂牌，发售价100港元，募资净额约30.55亿港元，首日收盘持平发行价并曾破发。拓宽融资平台，短期表现平淡。关注资金投向与业务拓展。
君正股份港股上市首日平开，公司主营处理器芯片，A股北京君正或受H股发行影响，短期估值中性。
美光CEO称AI催生持续性存储需求，供需紧张或延续；忆月启函存储芯片项目落地海口，存储板块景气上行，关注价格与扩产。
君正股份启动H股全球招股，拟募资最高32.2亿港元，但产业基金及关联方合计减持规模或超75亿元。H股融资有利于国际化，但股东减持压力较大，关注发行定价和存储周期景气度。
君正股份股价单月跌超49%后拟回购不超过2亿元，此前实控人累计套现超10亿元。减持与回购对冲，短期股价波动或延续，关注回购执行及公司基本面变化。
君正股份股价单月跌49%，实控人此前累计套现超10亿元，随后拟回购不超2亿元；回购力度远小于减持，短期信心修复有限；关注存储价格及实控人后续动作。
大摩预计Q3成熟制程DRAM再涨50%，SK海力士拟回购40万亿韩元并获标普上调评级，三星推进1d nm DRAM，长鑫市值登顶。存储行业景气上行，关注后续涨价持续性及国产存储受益标的。
证监会披露长江存储IPO辅导工作完成报告，辅导状态变更为“辅导验收”，A股存储产业资本化加速。长江存储上市或带动产业链关注度，但也会对现有存储股形成估值与资金分流，关注IPO进展及产业竞争格局。
TrendForce数据显示DDR5/DDR4内存现货均价续涨，DDR5 16Gb涨0.82%；存储涨价周期延续，利好原厂及模组厂盈利预期；关注涨价持续性与终端需求。
存储、半导体设备板块大幅调整，多股跌超10%，芯片ETF跌逾4%，主力资金净流出超200亿；受美股科技股调整及美债收益率走高压制；关注费城半导体指数及库存周期。
集邦咨询数据显示二季度前五大NAND Flash品牌合计营收环比增77%，AI服务器SSD需求旺盛，存储供不应求，ASP持续上涨。关注三季报及存储价格趋势。